[17p-C301-1~11] 9.4 熱電変換

14:30 〜 14:45

[17p-C301-5] 特異なバンド構造を有するエピタキシャルB20-CoSi薄膜/Siの熱電特性

〇石部 貴史^1,2、佐藤 和則³、山下 雄一郎⁴、中村 芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.阪大院工、4.産総研)

キーワード：

熱電材料、シリサイド、ディラックバンド

Si基板上薄膜熱電材料はInternet of Thingsセンサ用自立電源として期待されている。2019年に、フェルミ準位近傍に特異なバンド構造（Dirac bandとHeavy hole band）を有するB20-CoSiバルクは、電子-フォノン相互作用により高熱電出力因子を示すことが報告された 。しかし、エピタキシャルB20-CoSi薄膜/Siを形成した報告は無く、その熱電特性は明らかになっていない。本研究では、エピタキシャルB20-CoSi薄膜の熱電特性とキャリア輸送物理を明らかにすることを目的とする。