講演情報
[17p-C31-16]CMOSマルチケミカルイメージセンサの空間分解能向上のための感応膜形成プロセスの検討
〇土井 英生1、大塚 惇平1、堀尾 智子1、崔 容俊1、高橋 一浩1、野田 俊彦1、澤田 和明1 (1.豊橋技科大)
キーワード：
CMOSマルチケミカルイメージセンサ、窒化チタン、酸化還元
液中化学情報の高分解能イメージングに向け，CMOSマルチケミカルイメージセンサの感応膜形成プロセスを検討した．導電性の窒化チタン(TiN)を堆積した画素ピッチ4.19 µmの電位検出アレイセンサ上にAuパターンをフォトリソグラフィで画素ごとに形成し，酸化還元およびpH応答の選択的計測を実証した．これらの同時可視化実験では，Auパターンを反映した画像応答が明瞭に観察され，空間分解能向上を示すマルチイメージングに成功した．
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