[17p-C31-1~20] 12.7 医用工学・バイオチップ

18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[17p-C31-19] 脳内埋め込みにおいて低侵襲なナノニードル電極アレイの設計・製作

〇高橋 尚大¹、清水 快季¹、山下 幸司¹、沼野 利佳¹、鯉田 孝和¹、河野 剛士¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：

ナノニードル電極、ニューロン計測、低侵襲

脳神経計測の中でも, 微小電極による侵襲型計測は時空間分解能が高いことが利点である。Si結晶成長法により製作したSiマイクロニードル電極は刺入時に生じる脳への損傷や基板からの損傷は低減されたが, 長期埋め込み時に生じる脳の拍動による損傷が課題である。本研究では, この問題を解決するため, マイクロニードル電極の先端をナノ先鋭化した, 高さ400 μm, 4チャンネルのナノニードル電極デバイスの設計, 及び製作を行った。