[17p-C42-1~11] 窒化物・III/V族ナノ構造における新規機能発現

16:15 〜 16:45

[17p-C42-7] 新規機能発現に向けた低温成長Bi系III-V族半導体混晶

〇富永 依里子¹、石川 史太郎²、池永 訓昭³、上田 修⁴ (1.広大先進理工、2.北大量集セ、3.金沢工大、4.明治大)

キーワード：

Bi系III-V族半導体混晶、低温成長、テラヘルツデバイス