セッション詳細

[17p-C42-1~11]窒化物・III/V族ナノ構造における新規機能発現

2024年9月17日(火) 13:30 〜 18:30
C42 (ホテル日航新潟 4F)
岩谷 素顕(名城大)、 山根 啓輔(豊橋技科大)、 藤岡 洋(東大)、 松岡 隆志(東北大)

[17p-C42-1][Fellow International 2024 Special Lecture] Insights on GaN bulk crystal growth and GaN-on-GaN technology.

〇Michal Stanislaw Bockowski1 (1.Institute of High Pressure Physics (IHPP) of the Polish Academy of Sciences (PAS))
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[17p-C42-2]ワイドギャップ半導体多層構造のマルチスケール評価

〇谷川 智之1、石井 由也1、山﨑 順2、田中 敦之3、本田 善央3、上向井 正裕1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.名大IMaSS)
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[17p-C42-3]GaN基板上に成長したGa1-xInxN/GaN五重量子殻とその単一化した量子殻に対するX線ナノビームによる局所構造解析

〇宮嶋 孝夫1、太田 翔也1、小林 稜汰1、安田 伸広2、中尾 知代3、荒井 重勇3、西村 一輝1、青山 晃己1、隅谷 和嗣2、今井 康彦2、木村 滋2、上山 智1、今井 大地1 (1.名城大理工、2.高輝度光科学研究センター、3.名大未来材料システム研)
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[17p-C42-4]マルチスケールなIII/V族ナノ構造の創成

〇石川 史太郎1 (1.北大量集センター)
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[17p-C42-5]III-V/Si集積に向けたSOI (001)基板上InP横方向MOVPE選択成長(3)

〇本間 寛弥1、杉山 弘樹1、開 達郎1、佐藤 具就1、松尾 慎治1 (1.NTT 先デ研)
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[17p-C42-6]MOVPE選択成長法によるAlInPフィン成長と評価

〇東 佑樹1、鄭 子ヨウ1、本久 順一1、冨岡 克広1 (1.北海道大学)
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[17p-C42-7]新規機能発現に向けた低温成長Bi系III-V族半導体混晶

〇富永 依里子1、石川 史太郎2、池永 訓昭3、上田 修4 (1.広大先進理工、2.北大量集セ、3.金沢工大、4.明治大)
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[17p-C42-8]GaN系ナノ結晶の成長と発光デバイスへの応用

〇上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学)
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[17p-C42-9]2層極性反転AlN導波路を用いたCW半導体レーザ励起による230 nm帯遠紫外第二高調波発生

〇本田 啓人1、浅井 昭典2、當銘 賢人2、森下 桂嗣2、加藤 伸藤2、藤原 弘康2、正直 花奈子3,4、三宅 秀人3、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.浜松ホトニクス、3.三重大院工、4.京大院工)
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[17p-C42-10]AlGaN系UV-B LDの注入効率向上に向けた高Al組成差のヘテロ界面形成技術

〇齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、山田 凌矢1、井本 圭紀1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、岩山 章1、三宅 秀人2、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
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[17p-C42-11]分布型分極ドーピングを用いたAlGaN系縦型p-nダイオードの特性評価

〇本田 善央1,2,3、隈部 岳瑠4、久志本 真希4、天野 浩1,2,3 (1.名大未来研、2.名大 D センター、3.名大 IAR、4.名大院工)
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