[17p-D61-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

16:45 〜 17:00

[17p-D61-13] 基板の表面粗さ制御によるVO₂薄膜の相転移温度の変調

〇宮下 寛規¹、Sharad Sunil Mane²、服部 梓²、藤沢 浩訓¹、中嶋 誠二¹、大坂 藍^1,2 (1.兵庫県大、2.阪大産研)

キーワード：

二酸化バナジウム、基板の表面粗さ

Si基板に任意の表面粗さを付与することで、VO2薄膜の膜内歪みを変調し、相転移温度の変化を評価した。 基板表面粗さが増加すると相転移温度は低下する傾向を示した。このことからVO₂の相転移温度は基板表面状態を制御することで変化させることができると明らかにした。