[17p-D61-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

17:00 〜 17:15

[17p-D61-14] 光電子ホログラフィによるW doped VO₂の局所構造決定

〇大岸 勇太¹、橋本 由介²、松下 智裕²、孫 澤旭²、山田 翔梧²、山田 侑矢²、吉田 桃子²、村岡 祐治¹、脇田 高徳¹、中村 匠汰¹、稲垣 翔哉¹、横谷 尚睦¹、山神 光平³ (1.岡山大基礎研、2.奈良先端大、3.JASRI)

キーワード：

光電子ホログラフィ、二酸化バナジウム

VO₂はルチル構造をとる遷移金属酸化物であり、67℃付近を境に金属―絶縁体相転移を示す。実用デバイスへの応用が期待されているが、転移温度を下げることが重要である。電子ドープは転移温度を制御する方法の一つであり、タングステン（W）はVO₂の転移温度を効率的に変化させるドーパントとして知られている。我々の研究では、光電子ホログラフィを用いてW原子が転移温度に与える影響を局所構造の観点から調べた。