[18a-A23-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[18a-A23-12] P型Si二重量子ドットにおける磁場に依存した量子キャパシタンスの評価

〇(M1)和田 陸久¹、溝口 来成¹、近藤 知宏¹、土屋 龍太²、峰 利之²、久本 大²、水野 弘之²、米田 淳¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大、2.日立研開)

キーワード：

シリコン量子ドット、パウリスピン閉塞、スピン軌道結合

シリコンスピン量子ビットのスピン状態読出しにおけるパウリスピン閉塞（PSB）は、スピン軌道相互作用（SOC）によって解除される問題がある。本研究ではPSBにおけるSOCの影響を調査するため、p型シリコン二重量子ドットの電荷遷移（ICT）の磁場依存性をゲートセンシング手法で測定した。結果、各ICTで異なる磁場依存性が現れ、スピン状態やSOCの大きさが異なることが示唆されている。この結果を基に、PSB解除に対するSOCの影響を議論する予定である。