2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18a-A23-1~13]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2024年9月18日(水) 9:00 〜 12:30
A23 (朱鷺メッセ2F)
齋藤 真澄(キオクシア)、 浅井 栄大(産総研)
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9:00 〜 9:15

[18a-A23-1]Si MOSFETのSS値の極低温領域における温度依存性の定量的理解

姜 旼秀1、トープラサートポン カシディット1、岡 博史2、森 貴洋2、竹中 充1、〇高木 信一1 (1.東大院・工、2.産総研)
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9:15 〜 9:30

[18a-A23-2]低温下おける200 nm SOI MOSFETの負基板バイアス依存性

〇李 龍聖1、森 貴之1、八田 浩輔1、小林 亮介1、岡 博史2、森 貴洋2、井田 次郎1 (1.金工大、2.産総研)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[18a-A23-3]極低温下でのホットキャリア注入に起因した巨大なしきい値電圧変動の理解

〇(D)下方 駿佑1,2、岡 博史1、加藤 公彦1、稲葉 工1、飯塚 将太1、浅井 栄大1、森 貴洋1 (1.産総研、2.慶大物情)
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9:45 〜 10:00

[18a-A23-4]トランジスタマトリックスアレイを用いた極低温における特性ばらつきとランダムテレグラフノイズの測定

〇水谷 朋子1、竹内 潔1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、小林 正治1,3、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研、3.東大d.lab)
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10:00 〜 10:15英語発表

[18a-A23-5]Precise Extraction of Effective Mobility in Si nMOSFETs at Cryogenic Temperatures Using Quasi-Static C-V Technique

〇(M2)Yutong Chen1, Zhao Jin1, Xueyang Han1, Hiroshi Oka2, Takahiro Mori2, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1 (1.The Univ. of Tokyo, 2.AIST)
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10:15 〜 10:30英語発表

[18a-A23-6]Influence of Channel Resistance on Split C-V Characteristics in MOSFETs and the Correction Based on a Transmission Model for Accurate Evaluation of Effective Mobility

〇(M2)Zhao Jin1, Yutong Chen1, Xueyang Han1, Hiroshi Oka2, Takahiro Mori2, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1 (1.U. Tokyo, Eng., 2.AIST)
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10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[18a-A23-7]シリコン２次元超格子MOSトランジスタの提案と有効質量増大の観測

〇(M2)杉本 裕人1、赤堀 海洋1、竹内 滉太1、戸澤 佑亮1、佐藤 弘明1,2、堀 匡寛1,2、小野 行徳1,2 (1.静大院工、2.静大電研)
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11:00 〜 11:15

[18a-A23-8][110]方向に応力がかかったSi 量子井戸における谷分離の第一原理計算

〇林 稔晶1、影島 博之2、登坂 仁一郎1、西口 克彦1 (1.NTT物性研、2.島根大学)
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11:15 〜 11:30

[18a-A23-9]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (12) -欠陥構造緩和 (Ⅲ)-

〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
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11:30 〜 11:45

[18a-A23-10]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (13) -準位深さの影響-

〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
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11:45 〜 12:00

[18a-A23-11]等電子トラップTFETに内在する二重量子ドットの大規模特性評価

〇千足 勇介1、稲葉 工1、八木下 淳史1、加藤 真1、石川 智弘1、岡 博史1、加藤 公彦1、浅井 栄大1、小倉 実1、中山 隆史1、飯塚 将太1、森 貴洋1 (1.産総研)
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12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[18a-A23-12]P型Si二重量子ドットにおける磁場に依存した量子キャパシタンスの評価

〇(M1)和田 陸久1、溝口 来成1、近藤 知宏1、土屋 龍太2、峰 利之2、久本 大2、水野 弘之2、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東工大、2.日立研開)
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12:15 〜 12:30

[18a-A23-13]シリコンPN 単電荷ポンプによる電子正孔比較

〇山端 元音1、藤原 聡1 (1.NTT物性研)
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