[18a-A24-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

9:00 〜 9:15

[18a-A24-1] c-Al₂O₃基板上エピタキシャルMg₃Bi₂薄膜の成長条件の探索

〇(D)鮎川 瞭仁¹、栗山 武流¹、鵜殿 治彦¹、坂根 駿也¹ (1.茨城大工)

キーワード：

熱電材料、Mg3Bi2、エピタキシャル成長

薄膜型熱電材料は身近な廃熱を利用した小型自立電源への応用が期待され、特に低い熱伝導率から室温付近で高い性能を示すMg₃Bi₂系材料が注目を集めている。しかし、Mg₃Bi₂におけるエピタキシャル薄膜は報告が少なく、その成長条件については今まで議論されてこなかった。本研究では、高性能な熱電材料応用に向けた、分子線エピタキシー法によるエピタキシャルMg₃Bi₂薄膜の成長条件の探索と確立を目的とした。