2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.2 探索的材料物性・基礎物性

[18a-A24-1~9]13.2 探索的材料物性・基礎物性

2024年9月18日(水) 9:00 〜 11:30
A24 (朱鷺メッセ2F)
末益 崇(筑波大)、 寺井 慶和(九工大)
9:00 〜 9:15

[18a-A24-1]c-Al2O3基板上エピタキシャルMg3Bi2薄膜の成長条件の探索

〇(D)鮎川 瞭仁1、栗山 武流1、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨城大工)
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[18a-A24-2]同時蒸着によるSi(001)基板上エピタキシャルMg3Sb2薄膜の作製

〇切通 望1、鮎川 瞭仁1、山本 若葉2、安原 聡2、佐藤 康平2、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨城大、2.日本電子)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[18a-A24-3]熱電応用に向けたAgBa2Si3の成膜と第一原理計算によるドーパントの探索

〇梶原 君円1、石山 隆光1、都甲 薫1、幸田 陽一郎2、召田 雅美2、本多 周太3、末益 崇1 (1.筑波大院、2.東ソー株式会社、3.関西大学)
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9:45 〜 10:00英語発表

[18a-A24-4]Synthesis of Na-Cu-Ge ternary clathrates in film form

〇(D)Tun Naing Aye1, Koji Yasuoka1, Kumar Rahul2, S. Himanshu Jha1, Fumitaka Ohashi1, Tetsuji Kume1 (1.Gifu University, 2.Nationational Institute ofTechnology, Gifu)
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10:00 〜 10:15

[18a-A24-5]メカノケミカル効果を活用した近接蒸着法によるCaSi2薄膜の作製

〇高垣 僚太1、有元 圭介1、山中 淳二1、原 康祐1 (1.山梨大クリスタル研)
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10:30 〜 10:45

[18a-A24-6]InGaO3(ZnO)n 大型単結晶のアニール処理による電気伝導度の変化

〇加瀬 直樹1、井上 禎人1、漆間 由都1、田中 啓太1、河村 優介1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)
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10:45 〜 11:00

[18a-A24-7](InGaO3)m(ZnO)n単結晶への Sn 置換効果

〇小海 稜太郎1、井上 禎人1、漆間 由都1、加瀬 直樹1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)
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11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[18a-A24-8]Mg2Si単結晶成長に及ぼす坩堝形状の影響

〇朝倉 康太1、劉 鑫1、鵜殿 治彦2、宇佐美 徳隆1 (1.名大院工、2.茨大院理工)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[18a-A24-9]不純物ドープしたMg2Si単結晶のラマン分光測定

〇島野 航輔1、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨大院)
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