[18a-A24-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

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[18a-A24-8] Mg₂Si単結晶成長に及ぼす坩堝形状の影響

〇朝倉 康太¹、劉 鑫¹、鵜殿 治彦²、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.茨大院理工)

キーワード：

シリサイド半導体

我々は赤外線センサへの利用に向け、大口径の高品質Mg₂Si単結晶の開発を進めている。Mg₂Siは低靭性による融液成長中でのクラックの発生や単結晶成長の再現性に課題がある。今回、単結晶成長の再現性を高めるため坩堝形状を提案し、結晶成長シミュレーションを用いて、実験では不可能である応力や固液界面の観察・評価を行った。本研究では、Mg₂Si単結晶成長に及ぼす坩堝形状の影響の解明を試みたので報告する。