[18a-A34-1~9] CS.5 3.10 フォトニック構造・現象、3.12 半導体光デバイスのコードシェア

11:15 〜 11:30

[18a-A34-7] 化合物エッチングナノワイヤ集積Siフォトニック結晶共振器のレーザ発振

〇滝口 雅人^1,2、藤井 拓郎^1,3、角倉 久史^1,2、新家 昭彦^1,2、松尾 慎治^1,3、納富 雅也^1,2,4 (1.NTT NPC、2.NTT 物性研、3.NTT 先デ研、4.東工大理)

キーワード：

フォトニック結晶、ナノワイヤ、共振器

我々はこれまで自己成長InPナノワイヤをSiフォトニック結晶中のトレンチ構造に導入し、レーザ・光スイッチ・受光器を実現したが[1-3]、ワイヤの構造不均一性やトレンチ-ナノワイヤ間のエアギャップによる光閉じ込めの低下が課題であった。今回、我々は矩形断面ナノワイヤをエッチングで作製し、Siフォトニック結晶のトレンチに隙間なく集積した。これにより、光閉じ込めの高いハイブリッドフォトニック結晶共振器を作製し、レーザ発振を確認した。
[1] M. Takiguchi, et.al., APL Photonics, 2, 046106 (2017)
[2] M. Takiguchi, et.al., ACS Photonics, 7, 1016 (2020)
[3] M. Takiguchi, et.al., ACS Photonics, 7, 3467 (2020)