[18a-C32-1~9] 12.1 作製・構造制御

10:45 〜 11:00

[18a-C32-7] Hf_0.5Zr_0.5O₂ゲート絶縁膜上へのPh-BTBT-C_n薄膜成膜と構造評価

北村 太慈^1,2、中澤 斗翔¹、高瀬 寛士¹、武本 凌河¹、酒井 悠太¹、河野 裕太^1,2、小池 一歩^1,2、〇廣芝 伸哉^1,2 (1.大阪工大・工、2.大阪工大・ナノ材研)

キーワード：

強誘電性ゲート絶縁膜、Ph-BTBT-Cn

強誘電性であるortho相を示すHZOゲート絶縁膜を作製し，スピンコート成膜によるPh-BTBT-C_n薄膜のモルフォロジーと結晶構造について詳細に調査した．Ph-BTBT-C_n薄膜は容易にアモルファスシリコンを超える非常に高い電界効果移動度を示すため，デバイス応用が期待される．本発表ではPh-BTBT-C_n薄膜の熱処理による表面モルフォロジーへ影響や結晶構造の変化について議論する．