[18a-C43-1~9] 1.1 応用物理一般・学際領域

10:45 〜 11:00

[18a-C43-7] PT対称性を用いたSiC MOSFETのリンギングノイズ抑制

〇矢次 健一¹、大石 航志¹、飯塚 英男¹ (1.豊田中研)

キーワード：

PT対称性、電気回路、パワー半導体

外部RLC共振器を磁気結合させ、PT対称性の概念に基づいた回路設計を行うことでSiC MOSFETのリンギングが効果的に抑制できることを示す。主回路に損失を有する外部RLC共振器を結合させることで、PT対称な系を構成することができる。そしてExceptional pointとなるように外部共振器の損失を設計することで、リンギングのエネルギーを外部共振器に効果的に分配して消費できることを示す。