[18a-P04-1~6] 3.12 半導体光デバイス

[18a-P04-4] 酸化チタン薄膜を用いた真空紫外光検出器の光伝導性に与える基板と膜厚の影響

〇(M1)丸山 祐樹¹、Cadatal-Raduban Marilou^2,3、加藤 智規¹、堀内 勇佑¹、Olejníˇcek Jiˇrí⁴、Kohout Michal⁴、山ノ井 航平²、小野 晋吾¹ (1.名工大、2.阪大レーザー研、3.Massey Univ.、4.Czech Academy of Sciences)

キーワード：

光検出器、薄膜、真空紫外光

波長100-250 nmの深紫外光や真空紫外光(VUV)は、光化学処理や半導体基板の洗浄など幅広い分野で応用されている。このような短波長領域での技術開発の急速な進展に対応するためには、紫外光検出器の開発が必要不可欠である。本研究では、酸化チタン(TiO₂)薄膜の膜厚および基板の膜質への影響を調査し、この薄膜を用いた光伝導型検出器の光伝導性を向上させたため、これについて報告する。