[18a-P05-1~32] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[18a-P05-5] プッシュコート法で作製した高分子半導体薄膜における負性微分抵抗現象

〇西嶋 快斗¹、金澤 俊¹、高山 和輝¹、野田 啓¹ (1.慶應大理工)

キーワード：

有機半導体、負性微分抵抗

プッシュコート法で製膜した高分子半導体を用いたクロスバー構造のダイオードを作製し、サーモカメラでデバイスの表面温度の変化を追いながら、真空下において四端子測定による電流駆動での電流電圧特性の測定を行い、プッシュコート法で作製した高分子半導体薄膜における負性微分抵抗現象について評価した。