[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-7] Mg イオン注入後 2 段階アニールを行った GaN 中の伝導帯付近禁制帯内準位の MOS 構造を用いた評価 (2)

〇羅 宇瀏¹、畠山 優希¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

GaN、Mgイオン注入

GaN のパワーデバイス応用において、イオン注入技術の確立が望まれる 。 このためには、 Mg イオン注入により発生する欠陥について、その起源をよく調べ、制御方法を見出す必要がある。 イオン注入後、 高圧下でパルス的に高温（>1400℃）まで昇温するアニールの前後に 1000℃での長時間熱処理を行うことで格子損傷を低減する方法が提案されている 1)。 しかし、 常圧下では、 1000℃での長時間の加熱は、表面保護膜を用いても GaN 表面の特性に悪影響を与える可能性が高い。 本報告においては、 イオン注入後、高温での活性化アニール前に 600℃でのキャップアニールを行う 2 段階アニールの、禁制帯内準位に与える 効果を、 MOS 構造を用いて検討した結果を報告する。