セッション詳細

[18a-P06-1~19]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年9月18日(水) 9:30 〜 11:30
P06 (展示ホールA)

[18a-P06-1]量子補正モンテカルロシミュレーションによるダブルドープ構造GaInSb HEMT特性解析

〇上田 晟生1、戸邉 康太1、児玉 直也1、塩澤 祐介1、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工)
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[18a-P06-2]電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETのデバイス特性

〇久保 俊晴1、三木 隆太郎1、江川 孝志1 (1.名工大)
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[18a-P06-3]GaN系npn型HBTのベース層適用に向けたp型MQW構造の検討

〇井上 諒星1、小嶋 智輝1、間瀬 晃1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
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[18a-P06-4]Face-to-Face高温高圧アニールによる均一性の向上
~Au/Ni/n-GaNショットキー接触を用いた界面顕微光応答法による二次元評価~

〇今林 弘毅1、松本 泰歩1、塩島 謙次1、加地 徹2 (1.福井大院工、2.名大未来研)
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[18a-P06-5]単結晶窒化ガリウム中のシリコンの拡散

〇(M1)三村 啓人1、仲村 龍介1、鈴木 健之2、上岡 義弘3、召田 雅実3 (1.滋賀県大工、2.阪大産研、3.東ソー(株))
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[18a-P06-6]Mg添加AlN層上のNi電極の高温熱処理による接触抵抗低減

〇宮沢 風我1、奥村 宏典1、井村 将隆2 (1.筑波大数理、2.物材研)
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[18a-P06-7]Mg イオン注入後 2 段階アニールを行った GaN 中の伝導帯付近禁制帯内準位の MOS 構造を用いた評価 (2)

〇羅 宇瀏1、畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
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[18a-P06-8]Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価(3)

〇新藤 源大1、畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
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[18a-P06-9]GaNに対するSiO2キャップアニールの効果についてのXPS評価

〇高橋 尚伸1、焦 一寧1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
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[18a-P06-10]SiO2/GaN 界面酸化ガリウム層の熱処理による構造変化

〇厚見 遼也1、上沼 睦典2、富田 広人1、山田 翔梧1、山田 侑矢1、吉田 桃子1、孫 澤旭1、橋本 由介1、松下 智裕1、藤井 茉美3、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.産総研、3.近畿大)
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[18a-P06-11]基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MOS構造の検討

〇赤松 龍弥1、鹿田 颯吾1、古川 雅一2、若原 昭浩1、岡田 浩1 (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ有限会社)
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[18a-P06-12]N極性面GaNのウェットエッチングに対する希釈溶媒の影響

〇樋口 裕之介1、小野 諒子1、新海 聡子1 (1.九工大大学院情工)
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[18a-P06-13]ミストCVD法によるGaN MISデバイス向け混晶ゲート絶縁膜の作製

〇大竹 浩史1、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大)
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[18a-P06-14]ウエットエッチングによる酸化ガリウムのステップ形成

〇(M1)小野 諒子1、加藤 天音1、新海 聡子1 (1.九工大)
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[18a-P06-15]β-Ga2O3単結晶基板に存在する欠陥準位の高温度アニール挙動の評価

〇中野 由崇1、上田 悠貴2、佐々木 公平2、倉又 朗人2 (1.中部大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
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[18a-P06-16]n 型SiC エピタキシャル層上へイオン注入で作製したJFET の600℃動作

〇金子 光顕1、柴田 峻弥1、松岡 大雅1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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[18a-P06-17]High-Temperature Reliability of Ni/Ti/Nb Ohmic Contact on p-type 4H-SiC

〇(D)Ha Thi Vu1, Vuong Van Cuong1, Shin-Ichiro Kuroki1 (1.RISE,Hiroshima Univ.)
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[18a-P06-18]p チャネル 4H-SiC MOSFET の界面欠陥の電流検出 ESR 分光

〇島袋 聞多1、堀内 颯介1、曽 弘字1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3、西谷 侑将4、松下 雄一郎4、梅田 享英1 (1.筑波大、2.産総研、3.阪大、4.Quemix(株))
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[18a-P06-19]Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光

〇(M2)堀内 颯介1、福永 博生1、島袋 聞多1、矢野 裕司1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3、梅田 享英1 (1.筑波大、2.産総研、3.阪大)
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