セッション詳細
[18a-P06-1~19]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2024年9月18日(水) 9:30 〜 11:30
P06 (展示ホールA)
[18a-P06-1]量子補正モンテカルロシミュレーションによるダブルドープ構造GaInSb HEMT特性解析
〇上田 晟生1、戸邉 康太1、児玉 直也1、塩澤 祐介1、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工)
[18a-P06-2]電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETのデバイス特性
〇久保 俊晴1、三木 隆太郎1、江川 孝志1 (1.名工大)
[18a-P06-4]Face-to-Face高温高圧アニールによる均一性の向上
~Au/Ni/n-GaNショットキー接触を用いた界面顕微光応答法による二次元評価~
〇今林 弘毅1、松本 泰歩1、塩島 謙次1、加地 徹2 (1.福井大院工、2.名大未来研)
[18a-P06-5]単結晶窒化ガリウム中のシリコンの拡散
〇(M1)三村 啓人1、仲村 龍介1、鈴木 健之2、上岡 義弘3、召田 雅実3 (1.滋賀県大工、2.阪大産研、3.東ソー(株))
[18a-P06-7]Mg イオン注入後 2 段階アニールを行った GaN 中の伝導帯付近禁制帯内準位の MOS 構造を用いた評価 (2)
〇羅 宇瀏1、畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
[18a-P06-8]Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価(3)
〇新藤 源大1、畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
[18a-P06-10]SiO2/GaN 界面酸化ガリウム層の熱処理による構造変化
〇厚見 遼也1、上沼 睦典2、富田 広人1、山田 翔梧1、山田 侑矢1、吉田 桃子1、孫 澤旭1、橋本 由介1、松下 智裕1、藤井 茉美3、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.産総研、3.近畿大)
[18a-P06-11]基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MOS構造の検討
〇赤松 龍弥1、鹿田 颯吾1、古川 雅一2、若原 昭浩1、岡田 浩1 (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ有限会社)
[18a-P06-15]β-Ga2O3単結晶基板に存在する欠陥準位の高温度アニール挙動の評価
〇中野 由崇1、上田 悠貴2、佐々木 公平2、倉又 朗人2 (1.中部大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
[18a-P06-17]High-Temperature Reliability of Ni/Ti/Nb Ohmic Contact on p-type 4H-SiC
〇(D)Ha Thi Vu1, Vuong Van Cuong1, Shin-Ichiro Kuroki1 (1.RISE,Hiroshima Univ.)
[18a-P06-18]p チャネル 4H-SiC MOSFET の界面欠陥の電流検出 ESR 分光
〇島袋 聞多1、堀内 颯介1、曽 弘字1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3、西谷 侑将4、松下 雄一郎4、梅田 享英1 (1.筑波大、2.産総研、3.阪大、4.Quemix(株))
[18a-P06-19]Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光
〇(M2)堀内 颯介1、福永 博生1、島袋 聞多1、矢野 裕司1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3、梅田 享英1 (1.筑波大、2.産総研、3.阪大)