[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[18p-A23-10] リモート酸素プラズマによるSiO₂上の単層グラフェンの選択的除去

〇(DC)胡 留剛¹、石川 健治²、Thi-Thuy-Nga Nguyen²、蕭 世男²、堀 勝² (1.名古屋大工、2.名大低温プラズマ)

キーワード：

選択的、グラフェン

グラフェンベースのトランジスタの主な利点は室温での容易な操作と、低電圧での高感度にある。単層グラフェンにはゼロバンドギャップと高いキャリア移動度があり、電場をかけてオンとオフに切り替えるのが難しい。しかし、二層グラフェン（DLG）のバンドギャップは電場をかけることで0から0.25 eVまで変化する。それで、SLGをチャネルに使用でき、DLGをソース/ドレインに利用できる。したがって、グラフェン電子デバイスの製造では層の正確な制御、最小限のダメージとSLGの選択的除去が不可欠。この研究は酸素ラジカルの試料表面との反応が、ラマン分光法、原子間力顕微鏡（AFM）などによって評価された。