セッション詳細
[18p-A23-1~17]原子層プロセス(ALP:Atomic Layer Process)の基礎と最新技術動向
2024年9月18日(水) 13:30 〜 19:30
A23 (朱鷺メッセ2F)
浜口 智志(阪大)、 百瀬 健(熊本大)、 霜垣 幸浩(東大)
[18p-A23-4]室温原子層堆積法を用いた連続吸着方式におけるDMZとTMAの競合吸着反応の観察
〇鈴木 晴登1、宮澤 諒1、洲崎 慧1、三浦 正範1、廣瀬 文彦1 (1.山形大)
[18p-A23-8]ヘキサフルオロアセチルアセトンと酸素プラズマの交互サイクルを用いた銅の原子層エッチング
〇中谷 侑亮1、Andrew Kaye2、園田 靖1、田中 基裕1、前田 賢治1、Sumit Agarwal2 (1.日立ハイテク、2.Colorado School of Mines)
[18p-A23-10]リモート酸素プラズマによるSiO2上の単層グラフェンの選択的除去
〇(DC)胡 留剛1、石川 健治2、Thi-Thuy-Nga Nguyen2、蕭 世男2、堀 勝2 (1.名古屋大工、2.名大低温プラズマ)
[18p-A23-11]成長空間におけるRFプラズマの評価とβ-Ga2O3薄膜のALD成長
〇(B)阿多 翔大1、市川 龍斗1、内藤 圭吾1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
[18p-A23-14]Co-ALD 初期成長過程の反射光分光その場観察
〇玉置 直樹1、木村 俊介1、吉田 幸希1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、百瀬 健1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
[18p-A23-15]HfO2/ZrO2界面がHfO2/ZrO2ナノラミネート薄膜の強誘電相出現に与える影響の考察
〇女屋 崇1、櫻川 裕大1、高久 理名1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
[18p-A23-17]β-Ga2O3上のHfO2系極薄膜成長の結晶方位依存性
〇(M1)古川 勝裕1、市川 龍斗1、阿多 翔大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大院工)