セッション詳細
[18p-A23-1~17]原子層プロセス(ALP:Atomic Layer Process)の基礎と最新技術動向
2024年9月18日(水) 13:30 〜 19:30
A23 (朱鷺メッセ2F)
浜口 智志(阪大)、 百瀬 健(熊本大)、 霜垣 幸浩(東大)
[18p-A23-8]ヘキサフルオロアセチルアセトンと酸素プラズマの交互サイクルを用いた銅の原子層エッチング
〇中谷 侑亮1、Andrew Kaye2、園田 靖1、田中 基裕1、前田 賢治1、Sumit Agarwal2 (1.日立ハイテク、2.Colorado School of Mines)
[18p-A23-10]リモート酸素プラズマによるSiO2上の単層グラフェンの選択的除去
〇(DC)胡 留剛1、石川 健治2、Thi-Thuy-Nga Nguyen2、蕭 世男2、堀 勝2 (1.名古屋大工、2.名大低温プラズマ)
[18p-A23-14]Co-ALD 初期成長過程の反射光分光その場観察
〇玉置 直樹1、木村 俊介1、吉田 幸希1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、百瀬 健1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
[18p-A23-15]HfO2/ZrO2界面がHfO2/ZrO2ナノラミネート薄膜の強誘電相出現に与える影響の考察
〇女屋 崇1、櫻川 裕大1、高久 理名1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)