セッション詳細

[18p-A23-1~17]原子層プロセス(ALP:Atomic Layer Process)の基礎と最新技術動向

2024年9月18日(水) 13:30 〜 19:30
A23 (朱鷺メッセ2F)
浜口 智志(阪大)、 百瀬 健(熊本大)、 霜垣 幸浩(東大)

[18p-A23-1]高反応性原料を用いたALDプロセスの検討

〇清水 秀治1 (1.大陽日酸)
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[18p-A23-2]汎用機械学習力場によるALD precursorの反応解析と分子設計

〇浅野 裕介1 (1.プリファードコンピューテーショナルケミストリー)
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[18p-A23-3]室温原子層堆積法の開発と複合酸化物堆積への展開

〇廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)
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[18p-A23-4]室温原子層堆積法を用いた連続吸着方式におけるDMZとTMAの競合吸着反応の観察

〇鈴木 晴登1、宮澤 諒1、洲崎 慧1、三浦 正範1、廣瀬 文彦1 (1.山形大)
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[18p-A23-5]QCMによるALD吸着・反応過程の高精度その場観察

呉 宇軒1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、〇霜垣 幸浩1 (1.東大工)
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[18p-A23-6]COSMO-SAC法によるALD用金属錯体の蒸気圧推算

〇佐藤 登1、呉 宇軒1、山口 潤1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
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[18p-A23-7]原子層エッチングにおける反応素過程の評価

〇唐橋 一浩1、伊藤 智子1、浜口 智志1 (1.阪大院工)
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[18p-A23-8]ヘキサフルオロアセチルアセトンと酸素プラズマの交互サイクルを用いた銅の原子層エッチング

〇中谷 侑亮1、Andrew Kaye2、園田 靖1、田中 基裕1、前田 賢治1、Sumit Agarwal2 (1.日立ハイテク、2.Colorado School of Mines)
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[18p-A23-9]HFを含むプラズマによる絶縁膜の低温原子層エッチング

〇関根 誠1 (1.名大低温プラズマ)
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[18p-A23-10]リモート酸素プラズマによるSiO2上の単層グラフェンの選択的除去

〇(DC)胡 留剛1、石川 健治2、Thi-Thuy-Nga Nguyen2、蕭 世男2、堀 勝2 (1.名古屋大工、2.名大低温プラズマ)
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[18p-A23-11]成長空間におけるRFプラズマの評価とβ-Ga2O3薄膜のALD成長

〇(B)阿多 翔大1、市川 龍斗1、内藤 圭吾1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
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[18p-A23-12]GaCp*を用いた多結晶GaN薄膜の原子層堆積

〇水谷 文一1、高橋 伸尚1 (1.高純度化学研)
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[18p-A23-13]ALDとALEを併用した高選択性Co薄膜形成プロセス

〇山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、百瀬 健1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
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[18p-A23-14]Co-ALD 初期成長過程の反射光分光その場観察

〇玉置 直樹1、木村 俊介1、吉田 幸希1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、百瀬 健1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
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[18p-A23-15]HfO2/ZrO2界面がHfO2/ZrO2ナノラミネート薄膜の強誘電相出現に与える影響の考察

〇女屋 崇1、櫻川 裕大1、高久 理名1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
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[18p-A23-16]ALD法で作製したGa2O3薄膜の成長機構

〇市川 龍斗1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
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[18p-A23-17]β-Ga2O3上のHfO2系極薄膜成長の結晶方位依存性

〇(M1)古川 勝裕1、市川 龍斗1、阿多 翔大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大院工)
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