[18p-A25-1~16] 3.6 レーザープロセシング

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[18p-A25-11] 超短パルスレーザーによるSiC上オーミック電極の電気特性のパルス時間幅依存性

〇須藤 直也¹、関 宏都¹、川上 拓哉¹、高林 圭祐^2,3、土屋 叡本²、遠藤 翼²、髙島 祐介¹、永松 謙太郎¹、直井 美貴¹、山口 誠³、岡田 達也¹、小林 洋平²、富田 卓朗¹ (1.徳島大院創成、2.東大物性研、3.秋田大理工)

キーワード：

超短パルスレーザー、SiC上オーミック電極、パルス時間幅依存性