[18p-A31-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

17:30 〜 17:45奨励賞エントリー注目講演

[18p-A31-16] F₂/Ar/H₂ガス系を用いたSiO₂膜のクライオエッチングにおける反応メカニズム解明

〇加藤 有真¹、片岡 淳司¹、斎藤 僚²、飯野 大輝¹、福水 裕之¹、佐藤 哲也²、栗原 一彰¹ (1.キオクシア株式会社、2.山梨大・工)

キーワード：

クライオエッチング、シリコン酸化膜

室温から-150 ℃までの低温領域においてF₂/Ar/H₂の混合ガス系によるSiO₂膜のクライオエッチングの挙動と反応メカニズムをIn-situ分析を用いて調査した。エッチレート(ER)が最も速いのは-100 ℃であり、-100 ℃までは表面に凝縮したH₂Oの効果で、エッチャントとなるHFが表面に共吸着しERが増加する。-100 ℃以下では反応生成物であるSiF_xが揮発しなくなりERが低下する。