2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[18p-A31-1~19]8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2024年9月18日(水) 13:30 〜 18:30
A31 (朱鷺メッセ3F)
鈴木 陽香(名大)、 深沢 正永(産総研)
13:30 〜 13:45

[18p-A31-1]大気圧窒素プラズマの放電と熱特性

〇呉 準席1、白藤 立1 (1.大阪公立大工)
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13:45 〜 14:00

[18p-A31-2]PE-MBF法によるPTFEへのOH基付与

〇田口 貢士1、富川 弥奈1、山原 基裕1、登尾 一幸1 (1.株式会社魁半導体)
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14:00 〜 14:15

[18p-A31-3]SAM形成によるPTFE粉体へのOH基付与

〇田口 貢士1、富川 弥奈1、山原 基裕1、登尾 一幸1 (1.株式会社魁半導体)
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14:15 〜 14:30

[18p-A31-4]電子線支援原子層エッチングにおけるGaN表面フッ素化反応

泉 祐輔1、〇堤 隆嘉1、近藤 博基2、関根 誠1、石川 健治1、堀 勝1 (1.名古屋大学、2.九州大学)
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14:30 〜 14:45

[18p-A31-5]酸素プラズマとギ酸蒸気によるPtの原子層エッチング時の表面反応

〇三輪 和弘1、ｸﾞｴﾝ ﾃｨ ﾄｩｲ ｶﾞｰ1、赤木 大二郎2、岡東 健2、堀 勝1、石川 健治1 (1.名大低温プラズマ、2.AGC（株）)
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14:45 〜 15:00

[18p-A31-6]プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～希ガス種（He,Ar,Xe）による違い～

〇布村 正太1、鎌滝 晋礼2、古閑 一憲2、白谷 正治2 (1.産総研、2.九大)
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15:00 〜 15:15

[18p-A31-7]プラズマ誘起欠陥の発生と修復～アニールにおける雰囲気ガスの効果～

〇布村 正太1、堤 隆嘉2、堀 勝2 (1.産総研、2.名大)
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15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[18p-A31-8]SiO2/Si構造におけるプラズマ誘起ダメージによる電流電圧特性変化の統計的解析

〇黒沼 舜也1、郷矢 崇浩1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)
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15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[18p-A31-9]GaN塩素プラズマ加工におけるダメージ発生に対する添加ガス種依存

〇増田 康平1、石野 嵩弥1、財前 義史1、釘宮 克尚1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))
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15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[18p-A31-10]紫外光照射時のGaN表面エッチング反応機構

〇(M2)高橋 遼人1、酒井 流星1、石川 健治2、関根 誠2、堤 隆嘉2、堀 勝2 (1.名大工、2.名大低温プラズマ)
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16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[18p-A31-11]CF3+イオン照射によるタングステン系マスクのエッチングイールド評価

〇KANG HO JUN1、川畑 竣大1、Mauchamp Nicolas A.1、伊藤 智子1、Tinacba Erin Joy Capdos1、Kang Song-Yun2、Son Jiwon2、Lee Dongkyu2、唐橋 一浩1、浜口 智志1 (1.阪大院工、2.Samsung Electronics)
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16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[18p-A31-12]酸素及び塩素イオンによるルテニウム表面のエッチング反応

〇(M1)柳沢 拓真1、伊藤 智子1、今井 雅也2、三浦 勝哉2、松井 都2、唐橋 一浩1、浜口 智志1 (1.阪大院工、2.日立製作所)
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16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[18p-A31-13]反応性大気圧熱プラズマジェットを用いたフォトレジストの超高速エッチングにおける表面温度計測

〇(M2)松本 響平1、Jiawen Yu1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大先進理工)
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17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[18p-A31-14]高アスペクト比ホール内におけるラジカルの付着確率の輸送への影響

〇(M1)来島 拓海1、堤 隆嘉2、関根 誠2、堀 勝2、石川 健治2 (1.名大院工、2.名大プラズマ)
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17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[18p-A31-15]Si3N4およびSiのNF3/SF6誘導結合プラズマ照射によるSelf-limitationエッチングプロセス

〇小澤 一貴1、佐藤 哲也1、清水 昭貴2 (1.山梨大工、2.東京エレクトロン(TTS))
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17:30 〜 17:45奨励賞エントリー注目講演

[18p-A31-16]F2/Ar/H2ガス系を用いたSiO2膜のクライオエッチングにおける反応メカニズム解明

〇加藤 有真1、片岡 淳司1、斎藤 僚2、飯野 大輝1、福水 裕之1、佐藤 哲也2、栗原 一彰1 (1.キオクシア株式会社、2.山梨大・工)
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17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[18p-A31-17]CF4/H2プラズマによるSiO2低温エッチングのRFバイアス依存性

〇今井 祐輔1、蕭 世男2、関根 誠2、堤 隆嘉2、石川 健治2、堀 勝2 (1.名大院工、2.名大低温プラズマ科学センター)
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18:00 〜 18:15

[18p-A31-18]HF/CH3OH 混合ガスによるプラズマSiO2 膜の低温ガスエッチング

〇今村 翼1、山田 将貴1 (1.日立研開)
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18:15 〜 18:30

[18p-A31-19]PF3/H2プラズマを用いた Poly-Siに対するSiO2の選択エッチング

〇馬 緻宇1、蕭 世男1、Britun Nikolay1、関根 誠1、堀 勝1 (1.名大低温プラズマ科学研究センター)
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