[18p-A31-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

18:00 〜 18:15

[18p-A31-18] HF/CH₃OH 混合ガスによるプラズマSiO2 膜の低温ガスエッチング

〇今村 翼¹、山田 将貴¹ (1.日立研開)

キーワード：

半導体、ガスエッチング、フッ化水素

高積層デバイスの製造では深さ均一性の高い等方エッチングのニーズがある。我々はHFとCH₃OHを用いた低温(-20℃以下)SiO₂ガスエッチプロセスを提案しており，良好な深さ均一性と高い対SiN選択比を得ている。このプロセスではSiO₂表面にHFとCH₃OHからなる凝集層が形成され，エッチングが起きると考えられる。一方，凝集層の形成条件はよくわかっていない。そこで，HF/CH₃OH混合ガスの凝集層形成条件とエッチング特性の関係について調べたので報告する。