[18p-A31-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

14:45 〜 15:00

[18p-A31-6] プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～希ガス種（He,Ar,Xe）による違い～

〇布村 正太¹、鎌滝 晋礼²、古閑 一憲²、白谷 正治² (1.産総研、2.九大)

キーワード：

プラズマ、半導体、その場計測

先端ロジック半導体の作製において、シリコン（Si）や絶縁膜の加工にプラズマエッチング技術が多用される。エッチングでは、原子レベルでの加工形状制御に加え、下地材料へのダメージ（残留不純物、格子欠陥や構造変化）を抑止することが要求されており、通常、活性種やイオンが高度に制御される[1,2]。しかしながら、ダメージの形成は、材料やプロセス条件により変化するため十分に明らかにされていない。今回、表面欠陥（ダングリングボンド（DB）やアモルファス化）の形成過程に関する基礎的な知見を得る目的で、水素終端Si表面上に希ガスプラズマを照射し、欠陥形成における希ガス種（He, Ar, Xe）の効果を調査した。