[18p-A37-1~11] 17.2 グラフェン

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[18p-A37-3] HPPSプラズマによるシリコン基板上への触媒フリー直接グラフェン成長

〇大石 侑叶¹、篠原 正典²、前田 文彦³、松本 貴士⁴ (1.福岡大院工、2.福岡大工、3.福工大、4.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))

キーワード：

グラフェン、大電力パルススパッタリング、触媒フリー

本発表は、Si-LSIの配線材料としてグラフェンを使うために、プラズマを用いてSi基板上に直接グラフェンを成長させることを目的とした。プラズマ源として、カーボンターゲットにパルスの大電力を投入して高密度のプラズマを生成させた。このプラズマ中にスチレン分子を導入してグラフェンのSi上への直接成長を試みた。本発表の登録時は600℃での成長に成功している。本発表では、低温成長の最新の結果を発表する。