講演情報
[18p-A37-5]NbCの熱分解により作製したグラフェンにおける強いNb-C相互作用
〇倪 遠致1、伊藤 孝寛2、乗松 航3 (1.名大院工、2.名大SRセ、3.早大基幹理工)
キーワード:
グラフェン、光電子分光
グラフェンは、炭素原子が蜂の巣格子状に配列した二次元物質であり、逆空間のK点においてディラックコーンと呼ばれる線形バンドを持つ。一方、NbCも、Γ-X線上にディラックコーンが存在するディラック半金属である。立方晶NaCl構造を有するNbCの(111)表面は、三回対称性を有し3.16 ÅのNb-Nb原子間距離を持つ。そのため、格子定数3.08 Åの4H-SiC単結晶基板上にグラフェン/NbC/SiCヘテロエピタキシャル構造を作製できると期待される。
本研究では、SiC基板上NbC薄膜の熱分解によりグラフェン/NbC/SiCヘテロ構造を作製し、その表面の電子状態を調べ、グラフェン中の電子がNbC最表面との強い相互作用より生じたED = -3eVのディラックコーンを観測した。
本研究では、SiC基板上NbC薄膜の熱分解によりグラフェン/NbC/SiCヘテロ構造を作製し、その表面の電子状態を調べ、グラフェン中の電子がNbC最表面との強い相互作用より生じたED = -3eVのディラックコーンを観測した。
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