講演情報
[18p-C42-2]2次元材料のウエハスケール集積回路技術の基盤構築に向けて
〇長汐 晃輔1 (1.東京大学)
キーワード：
２次元材料、MoS2、トランジスタ
本講演では，NIMSの佐久間らがMOCVDにより２インチサファイア基板上に180°ドメインのみを持つ単層MoS2を用いて，直接トップゲートFETを形成しデバイス特性を評価した結果を紹介する．サファイア基板上のFET特性の現状・課題を明確にすることで，将来展望を議論したい．
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