[18p-C42-1~7] 2次元材料とその集積回路・電子デバイス応用

15:15 〜 15:45

[18p-C42-4] 新規MO原料を用いたTMD 成膜

〇小椋 厚志^1,2、町田 英明³ (1.明治大 理工、2.明治大 MREL、3.気相成長（株）)

キーワード：

半導体、有機金属化学気相堆積、遷移金属ダイカルコゲナイド

新規有機化合物を開発し、MOCVD（Metal-organic CVD）によるTMD成膜に取り組んだ。平坦基板上の膜は成長当初は表面に平行な層状の構造を持ち、概ね10層を超える膜厚から一部縦方向成長が始まった。ラマン分光測定でも層状TMDに特有なピークが見られ、XPSで確認した組成は概ね化学量論に一致し、6か月程度の保管による変化は少なかった。トレンチ基板上の膜の回り込み特性は良好で、fin上部、角部、側壁部に基板形状に沿った平行な成膜が確認された。