[18p-D62-1~17] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェア

14:15 〜 14:30

[18p-D62-4] X-ray PEEM測定用液体セルに向けたGCIB照射による極薄SiNxメンブレンの応力制御

〇竹内 雅耶¹、豊田 亜里紗¹、豊田 紀章¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：

ガスクラスターイオンビーム、窒化シリコン

X-ray PEEMを用いて液体を測定するための液体セルには光電子透過窓（SiNxメンブレン）が使われるが、その膜厚は光電子の平均自由行程の制限より数nmである必要がある。SiNxメンブレンはその作製過程で応力がかかりその形状は湾曲する。このことはPEEMイメージの歪曲を引き起こす。本研究では、低損傷照射効果を示すガスクラスターイオンビーム（GCIB）を用いたSiNxメンブレンの応力制御を検討する。