講演情報
[18p-P01-5]真空蒸着法で形成したTlBr多結晶膜の評価
〇(D)豊田 耕平1,2、西澤 潤一1,3,4、都木 克之2,3、加瀬 裕貴3、青木 徹1,2,3 (1.静岡大光医工、2.株式会社ANSeeN、3.静岡大電子研、4.浜松医大Nx-CEC)
キーワード:
臭化タリウム、真空蒸着、多結晶
臭化タリウム (TlBr) は2.68eVのバンドギャップを持つ半導体材料である。TlBrは大きな原子番号 (81, 35) と高い密度 (7.56g/cm 3) を持つため、X線・γ線に対して高い吸収効率を示す。これらの優れた物性から、TlBrは室温動作半導体検出器に適した材料として研究が進められている。
TlBrは沸点が低く、真空雰囲気にて抵抗加熱によって容易に揮発させることができるため、真空蒸着による薄膜の形成が可能である。真空蒸着法による成膜は、大面積を必要とするX線FPD (Flat Panel Detector)の製造に適している可能性がある。
本研究では、真空蒸着法によるTlBr薄膜を放射線検出器として実装するために、蒸着条件を変化させたときの結晶粒径と表面性状、電気的特性およびX線検出特性の差異を評価した。
TlBrは沸点が低く、真空雰囲気にて抵抗加熱によって容易に揮発させることができるため、真空蒸着による薄膜の形成が可能である。真空蒸着法による成膜は、大面積を必要とするX線FPD (Flat Panel Detector)の製造に適している可能性がある。
本研究では、真空蒸着法によるTlBr薄膜を放射線検出器として実装するために、蒸着条件を変化させたときの結晶粒径と表面性状、電気的特性およびX線検出特性の差異を評価した。
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