講演情報
[18p-P02-28]真空中における極薄膜InGaZnOトランジスタの電流電圧特性
〇(M1)二本木 崇桐1、前田 拓海1、服部 吉晃1、北村 雅季1 (1.神戸大工)
キーワード：
薄膜トランジスタ、IGZO、気体センサ
スパッタリングで半導体層に10 nmのIGZO膜のTFTを作製し大気及び真空中の電流電圧特性を評価した．VG = -1.0 V，VD = 1.0 Vで，IDは大気及び真空中でそれぞれ55 μA，252 μAとなり約5倍だった．移動度は，大気中は5.6 cm2V-1S-1，真空中で29.3 cm2V-1S-1で，大気中の方が移動度が低かった．本研究で得られた知見から気体センサの応用も有効だろう．
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