[18p-P02-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-P02-29] pチャネルSnO_x薄膜トランジスタのポストアニール効果

〇(M1)瀧 基紀¹、二本木 崇桐¹、服部 吉晃¹、北村 雅季¹ (1.神戸大学工)

キーワード：

pMOS、SnO、酸化物トランジスタ

スパッタリング製膜したSnO_xをチャネル層とするTFTを作製し，ポストアニール後の電流電圧特性について評価したのでそれについて報告する．V_G = 10 ~ −10 Vの電圧範囲で電流オンオフ比が4.6×10³と，pチャネルTFTとしては比較的高い値が得らえた。また線形領域の移動度は1.1 cm² V^-1 s^-1であった．今後，条件の最適化によりさらなる特性向上が期待できる．