[18p-P02-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-P02-4] 赤外線センサのためのW・Nb・Tiドープ酸化バナジウム膜の形成方法に関する研究

楠本 浩平¹、山口 悟¹、〇齋藤 洋司¹ (1.成蹊大院理工)

キーワード：

ボロメータ、抵抗温度係数

本研究では、W・Nb・Tiを共にドープしたV_1-x-y-zW_xNb_yTi_zO₂膜をゾル―ゲル法により作製した。また、non-dope VO₂膜では厚膜化により、結晶粒子の成長幅が広がりTCRが増加することが報告されているため、V_1-x-y-zW_xNb_yTi_zO₂膜におけるTCRの膜厚依存性について調査した。