[18p-P02-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-P02-6] 透明導電性酸化物を電極に用いた抵抗変化型メモリのスイッチング特性

〇石井 敬大¹、大野 武雄²、岡田 健¹ (1.東北大工、2.大分大理工)

キーワード：

抵抗変化型メモリ、酸化亜鉛、透明電極

情報化の発達やIoT機器の普及により透明デバイスの需要が高まり、透明メモリが望まれている。中でも、抵抗変化型メモリ（ReRAM）は、シンプルな構造を持つ不揮発性メモリとして可能性が期待できる。しかし、電極に用いられる透明電極の材料供給やコストに課題が残る。本研究では、安全で安価な酸化亜鉛を基盤とした透明ReRAMを作製し、電極材料の物性がデバイス特性に与える影響について研究を行った。