[18p-P04-1~15] 12.2 評価・基礎物性

[18p-P04-7] 温度変化に依存した単分子磁石内包C₈₀フラーレンの配向変化

〇(PC)下ヶ橋 龍之介^1,2、Lee Wei Chuang²、Liu Fupin³、Popov Alexey A.³、Muntwiler Matthias⁴、Delley Bernard⁴、Kruger Peter⁵、Greber Thomas² (1.分子研、2.チューリッヒ大物研、3.ライプニッツ固材研、4.パウルシェラー研、5.千葉大院理工)

キーワード：

X線吸収分光、単分子磁石、直線偏光

本研究では単分子磁石であるDySc₂Nイオンを内包したC₈₀フラーレンについて、直線偏光X線吸収分光測定による配向の温度依存性の観測を試みた。その結果、Dy-M_4,5吸収端におけるのM₅吸収端ピークの比率が低温時に上昇することが確認できた。また、配位子場理論を考慮した多重項計算を行い測定結果と比較した結果、低温時にDySc₂NイオンにおけるDy-N結合がPt(111)表面に対して平行に配列する傾向が確認された。