[18p-P07-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[18p-P07-1] 多能性®中間膜を用いたエピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃薄膜の作製

〇關 雅志¹、木島 健¹、降旗 栄道¹、中尾 健人¹ (1.株式会社Gaianixx)

キーワード：

エピタキシャル成⻑、単結晶薄膜

当社のコアテクノロジーである「マルテンサイト・エピタキシー(ME)」は、従来困難とされてきた多層での高品質単結晶化を「多能性®中間膜」と「動的格子マッチング」で可能とし、分野を問わず既存デバイスの飛躍的な革新に貢献できると考えている。多能性®中間膜上に形成したME-PZTは単結晶化を実現し、残留分極は39.1µC/cm2まで向上し自発分極を確認した。ME-PZTは多結晶では実現できなかった特徴を有しており、新しい応用デバイスが期待できる。