[18p-P07-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[18p-P07-4] 溶液プロセスにより作製したCeO_x/Y-HZO積層構造の結晶化雰囲気依存性

〇Wang Yuzhong¹、徳光 永輔¹ (1.北陸先端大)

キーワード：

HfO2系強誘電体、CeOx、溶液プロセス

本研究では、溶液プロセスにより異なる雰囲気と圧力条件でY-HZO膜及びCeO_x/Y-HZO積層構造を作製し、強誘電性を評価した。Y-HZO膜の場合は、50Paの結晶化アニールで強誘電性を確認したが、酸素1気圧、窒素1気圧の結晶化アニールでは強誘電性が劣化した。これに対し、CeO_x/Y-HZO積層構造の場合は、いずれの雰囲気による結晶化アニールでも良好な強誘電性が得られた。