講演情報
[18p-P07-4]溶液プロセスにより作製したCeOx/Y-HZO積層構造の結晶化雰囲気依存性
〇Wang Yuzhong1、徳光 永輔1 (1.北陸先端大)
キーワード:
HfO2系強誘電体、CeOx、溶液プロセス
本研究では、溶液プロセスにより異なる雰囲気と圧力条件でY-HZO膜及びCeOx/Y-HZO積層構造を作製し、強誘電性を評価した。Y-HZO膜の場合は、50Paの結晶化アニールで強誘電性を確認したが、酸素1気圧、窒素1気圧の結晶化アニールでは強誘電性が劣化した。これに対し、CeOx/Y-HZO積層構造の場合は、いずれの雰囲気による結晶化アニールでも良好な強誘電性が得られた。
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