[18p-P08-1~18] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-P08-3] 有機半導体における電荷キャリア移動度のゲート電圧依存性の直接観察

〇(PC)崔 旭鎮¹、松田 若菜¹、関 修平¹ (1.京大院工)

キーワード：

有機半導体、電荷キャリア移動度、非線形電圧依存性

Field Effect Transistor（FET）における有機半導体の電荷キャリア移動度のゲート電圧依存性をマイクロ波伝導度測定法を用いて調べた結果、ゲート電圧に対して非線形性を示すことが見られた。交流測定法であるマイクロ波伝導度測定法は、既存の非線形性の原因であると思われていた接触抵抗や少数キャリアトラップなどの影響を受けないにも関わらず現れたこの非線形性はXRDやAFMの測定の結果よりSurface disorderによるものであることが分かった。