[18p-P09-1~54] 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

[18p-P09-24] インクジェット法によるCsFAペロブスカイト層の貧溶媒フリー成膜条件における加熱時間の影響

〇大津 颯隼¹、戸邉 智之^1,4、舩山 遼斗³、柴山 直之²、池上 和志¹、宮坂 力² (1.桐蔭横浜大院工、2.桐蔭横浜大医用工、3.紀州技研工業、4.神奈川県産技総研)

キーワード：

ペロブスカイト材料、インクジェット法、酸化物半導体層

我々は、インクジェット法に着目し、貧溶媒を用いずともペロブスカイト層の成膜が実施可能なプロセスの観点から研究をすすめている。具体的には、基板100℃以上に加熱しながら、ペロスカイト層を印刷する。そのため、印刷サイズにより、その加熱時間の差はより顕著になる。そこで、塗布の開始位置、中間位置、および終了位置における結晶状態の評価、また、トータルの加熱時間に着目し、データをまとめた結果について報告する。