[19a-A31-1~11] 17.3 層状物質

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[19a-A31-4] スパッタリング法によるMoTe₂組成比制御の検討

〇(M2)中西 大樹¹、横川 凌^1,2、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド

二テルル化モリブデン (MoTe₂)は、二次元層状物質であり、Siに近いバンドギャップやキャリア増幅などの性質から電子デバイスなど様々な分野での応用が期待されている。広範に用いられているボトムアップの作製手法は、化学気相成長法などが挙げられるが、我々は、大面積・低温・低不純物薄膜作製が可能なスパッタリング法に着目し、室温でのMoTe₂スパッタリング成膜を検討し、組成比と成膜条件を検討した。