2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[19a-A31-1~11]17.3 層状物質

2024年9月19日(木) 9:00 〜 12:00
A31 (朱鷺メッセ3F)
宮田 耕充(都立大)
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9:00 〜 9:15

[19a-A31-1]【講演欠席】MoS2のSi基板上CVD選択成長に向けた前駆体/触媒溶液塗布法の検討

〇(M1)西村 隆之介1、渡辺 健太郎1,2 (1.信州大学、2.信州大学 ICCER, IFES)
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9:15 〜 9:30

[19a-A31-2]vdWエピタキシーによるサファイア基板上MoS2の面内配向メカニズム

〇佐久間 芳樹1、廣戸 孝信1、奈良 純1、小野 佑樹2、松本 貴士2 (1.物材機構、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ㈱)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[19a-A31-3]有機原料を用いたALD法によるWS2薄膜成長

〇横田 浩1、町田 英明2、石川 真人2、須藤 弘2、若林 整3、澤本 直美1,4、横川 凌1,4、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.気相成長株式会社、3.東工大、4.明大MREL)
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9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[19a-A31-4]スパッタリング法によるMoTe2組成比制御の検討

〇(M2)中西 大樹1、横川 凌1,2、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL)
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10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[19a-A31-5]粉体ターゲットを用いたスパッタ法で作製したHfS2膜のH2Sアニールによる膜質改善

〇石川 太一1、堀 幸妃1,2、岡田 直也2、横川 凌1,3、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.産総研、3.明大MREL)
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10:15 〜 10:30

[19a-A31-6]偏析ゲルマネンの成長機構のその場ラマン散乱分光による解明

〇寺澤 知潮1,2、勝部 大樹3、矢野 雅大1、小澤 孝拓2、津田 泰孝1、吉越 章隆1、朝岡 秀人1、鈴木 誠也1 (1.原研、2.東大生研、3.JFCC)
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10:45 〜 11:00英語発表

[19a-A31-7]CVD synthesis of isolated pentagonal h-BN single crystals

〇Kamal Prasad Sharma1,2, Takahiro Maruyama1,2 (1.Meijo Univ., 2.Nanomat. Res. Center)
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11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[19a-A31-8]CVD成長におけるCu(111)上のhBN島の臨界サイズと形状の理論研究

〇(M2)今村 僚1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[19a-A31-9]GaS/GaSeヘテロ構造ナノベルトの成長

〇遠藤 由大1、関根 佳明1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
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11:30 〜 11:45

[19a-A31-10]MoS2上へのAg(111)配向膜形成とグラフェンナノリボンの表面合成

〇鈴木 誠也1、矢野 雅大1 (1.原子力機構)
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11:45 〜 12:00

[19a-A31-11]Na触媒法によるグラファイト層間化合物LnC6(Ln = Sm,Eu,Yb)の合成

〇伊豫 彰1、藤久 裕司1、後藤 義人1、石田 茂之1、永崎 洋1、荻野 拓1、川島 健司2 (1.産総研、2.イムラ・ジャパン)
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