[19a-A31-1~11] 17.3 層状物質

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[19a-A31-8] CVD成長におけるCu(111)上のhBN島の臨界サイズと形状の理論研究

〇(M2)今村 僚¹、影島 博之¹ (1.島根大院自然科学)

キーワード：

hBN、CVD成長、第一原理計算

我々は、CVDを想定したCu(111)上hBNについて、自発的にhBN島が大きくなり始める大きさ、つまり臨界サイズと、初期の成長核の形状について、第一原理計算を用いて研究を行った。その結果、我々の定めた化学ポテンシャルの範囲では、Nエッジを持つ三角形状のhBNの臨界サイズが小さくなりやすく、自発成長しやすいことが分かった。一方で、Cu(111)上のhBN島は理想的な平面ではなく、ドーム状に丸まっていることを発見した。したがって、Nエッジの三角形の臨界サイズを大きくするような成長条件を探すことが重要である。