[19a-B2-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:30 〜 9:45

[19a-B2-2] MBE法によるパターンSi基板上GaAsナノワイヤ核生成に及ぼすマスクパターンの影響

〇中間 海音^1,2、肥後 昭男³、石川 史太郎^1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ、3.東大d.lab)

キーワード：

分子線エピタキシー、ナノワイヤ、気相-液相-固相成長