セッション詳細
[19a-B2-1~8]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2024年9月19日(木) 9:15 〜 11:30
B2 (展示ホールB)
赤堀 誠志(北陸先端大)、 朝日 重雄(神戸大)
[19a-B2-1]高い光吸収/発光/熱特性を示す2インチSi基板上GaAs/AlGaAsコアーシェルナノワイヤ
〇峰久 恵輔1,2、橋本 英季1,2、中間 海音1,2、木瀬 寛都1、佐藤 紫乃1、高山 純一1、樋浦 諭志1、村山 明宏1、石川 史太郎1,2 (1.北大院情報科学、2.北大量集セ)
[19a-B2-2]MBE法によるパターンSi基板上GaAsナノワイヤ核生成に及ぼすマスクパターンの影響
〇中間 海音1,2、肥後 昭男3、石川 史太郎1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ、3.東大d.lab)
[19a-B2-3]分子線エピタキシャル成長したGaAs/GaNAsコア-マルチシェル多重量子井戸構造ナノワイヤの特性
〇飯田 竜雅1,2、中間 海音1,2、橋本 英季1,2、峰久 恵輔1,2、石川 史太郎2 (1.北大情報科学院、2.北大量集セ)
[19a-B2-4]希釈窒化物半導体ナノワイヤにおけるアニール処理条件が光学特性へ与える影響
〇橋本 英季1,2、飯田 竜雅1,2、後藤 拓翔1,2、峰久 恵輔1,2、中間 海音1,2、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集積セ)
[19a-B2-5]Exceptional large lattice deformation in highly strained InP/InAs nanowire heterostructures with 3.2% lattice mismatch
〇章 国強1、田中 祐輔1、日比野 浩樹2、後藤 秀樹3、眞田 治樹1 (1.NTT物性基礎研、2.関西学院大、3.広島大)
[19a-B2-6]Selective-area growth of Wurtzite InP/AlInP core-shell nanowires
〇(D)ZIYE ZHENG1,2, Yuki Azuma1,2, Junichi Motohisa1,2, Katsuhiro Tomioka1,2 (1.Hokkaido Univ, 2.RCIQE)