[19a-B3-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

10:45 〜 11:00

[19a-B3-7] Q-carbon の強磁性に関する第一原理計算

〇YUE QIANG¹、横谷 尚睦¹、村岡 祐治¹ (1.岡山大基礎研)

キーワード：

非晶質炭素、第一原理分子動力学計算、強磁性

新たな炭素系物質 Q-carbon はレーザーアニーリング法による非平衡プロセスの中で形成される [1]。Q-carbon は高 sp³量（75% – 85%）を有し、室温で飽和磁化 0.4 μ_B/atom の強磁性を示すことが知られている[2]。強磁性のメカニズムに関しては、理論[3] [4]において 3.4 g/cm³以下の密度を持つ系で計算がなされているが、実験結果を説明できる結論には至っていない。近年、実験により Q-carbon の密度は 5.0 g/cm³であることが報告された[5]。そこで本研究では、高密度を有する非晶質炭素体（5.24、5.46、5.63 g/cm³）に注目して、スピン制限第一原理計算を実施した。