[19a-D63-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

10:45 〜 11:00

[19a-D63-7] 静電結合したシリコンナノドット中の単電子熱運動の交差相関測定

〇知田 健作¹、アンドリュー アントワン¹、西口 克彦¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

シリコンナノデバイス、電子計数統計、交差相関測定

電子デバイスをナノメートルスケールで集積化するとデバイス中の電子運動はデバイス間の静電結合の影響を受けて相関を持つ。本研究では20 nmの絶縁層で電気的に絶縁された二つのシリコンナノドット中それぞれにおける単電子の熱運動を観測し、その交差相関関数からナノドット間に働く静電結合の強さを求めた。