[19a-D63-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

11:15 〜 11:30

[19a-D63-9] DRAMセルのエネルギー効率限界：単電子計数を用いた高精度測定

〇清水 貴勢¹、知田 健作¹、山端 元音¹、西口 克彦¹ (1.NTT物性基礎研)

キーワード：

DRAM、電子計数統計、ランダウア原理

DRAMのエネルギー効率化にはビット間電位差の低減が有効だが、信号対雑音比の低下でエラーが増加する。雑音低減に向けた技術改善が進む一方で、最終的にDRAMセルが到達可能なエネルギー効率の限界は未だ解明されていない。我々は、単電子計数可能なシリコンDRAM素子を用いて、発熱とエラーの高精度測定を行った。講演では、測定結果に基づき、DRAMセルのエネルギー効率限界について議論する。