講演情報

[19a-P04-2]ヘキサン中レーザーアブレーション法によって作製したSiCナノ微粒子の構造評価と発光スペクトル

〇横田 葵1、原口 遼1、余 希1、宮島 顕祐1 (1.東理大院先進工)

キーワード:

半導体、レーザーアブレーション


コメント

コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン